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Development of Organic Gate Dielectrics for Air-stable Organic Thin-film Transistors

등록일
2008년 8월 12일 11시 49분 14초
접수번호
1295
발표코드
36P261포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 <발표Ⅳ>
발표형식
포스터
발표분야
재료화학
저자 및
공동저자
이선희, 김성훈, 한승훈, 장진, 주동준1
경희대학교 정보디스플레이학과, Korea
1경희대학교 화학과, Korea
Recent advances in the solution-processed organic thin-film transistors (OTFTs) have pushed their performances close to those of vacuum deposited OTFT's. Gate dielectric material is one of the major components for OTFT's to be successful. Poly(4-vinylphenol)(PVP) has been used as an organic gate dielectric material for a high performance OTFT. However PVP gate dielectric OTFT is unstable in ambient conditions due to the hydroxyl groups in the polymer chain, which limits its application to the flexible display device. In our work we have developed the silicon containing PVP derivative which practically blocks the hydrophylicity from the hydroxyphenyl group of the polymer main chain, thereby increased the stability of the organic thin-film transistor.

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