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포토리쏘그래피를 이용한 블락고분자 나노 구조의 패턴화

등록일
2008년 8월 12일 12시 12분 57초
접수번호
1355
발표코드
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발표시간
목 <발표Ⅱ>
발표형식
포스터
발표분야
고분자화학
저자 및
공동저자
인인식, 박연진, 손재호
충주대학교 나노고분자공학과, Korea

블락고분자 수십 나노미터의 영역에서 규칙적이고 반복적인 나노 구조를 형성하는 중요한 차세대 나노구조 제어 기술의 하나이다. 차세대 반도체 영역에서 30 nm 이하의 미세 반도체 회로의 제작에서 블락고분자 나노구조는 많은 관심을 받고 있으며 그 활용이 기대되고 있는 상황이다. 하지만 블락고분자가 대면적의 영역에서 반복적인 나노 패턴을 형성하는데 반하여 실제의 차세대 반도체 제작에서는 국소적이고 복잡한 나노 회로가 필요하다. 본 연구에서는 바로 이와 같은 필요성에 의하여 국소적인 블락고분자 나노 패턴화를 향한 다양한 시도를 하였다. 특히 블락고분자 나노구조 형성에서 중요한 사항으로 많이 연구되고 있는 무결성에 더불어 나노 구조의 배향성을 조절하는 것이 중요하다. 이와 같은 배향성을 조절한다면 국소적인 영역에서 수직 혹은 수평 구조의 블락고분자 나노구조를 형성할 수 있기 때문에 차세대반도체를 향한 고차원적인 나노구조의 형성에 큰 기여를 할 것으로 기대하였다. 블락고분자 나노구조의 배향성 조절을 위한 다양한 방법 중의 하나로서 블락고분자 필름과 기질 사이에 이미징레이어라고 불리우는 얇은 고분자 박막을 이용하는 방법이 널리 이용된다. 이미징레이어의 화학적 조성에 따라서 블락고분자 나노구조가 수평 혹은 수직 배향을 한다는 것에 착안하여 이미징레이어 자체를 패턴화하여 그 화학적 조성을 패턴화기로 하였다. 바로 광가교형 이미징레이어를 사용하여 먼저 기존의 포토리쏘그래피를 이용하여 이미징 레이어를 패턴화하고 다음으로 그 위에 블락고분자 필름의 나노구조 배향성이 패턴화하는 방식으로 연구를 수행하였다. 포지티브 혹은 네거티브 방식 블락고분자 나노구조의 배향 패턴화를 하는데 성공적이었으며 통상적인 포토마스크를 이용하여 손쉽게 재현되었다. 이와 같은 블락고분자 나노주고의 국소 패턴화 기술은 보다 더 정밀한 리쏘그래피 기술과 병합하여 사용된다면 차세대 반도체 제작에 블락고분자 나노구조가 사용될 수 있는 데에 기여를 할 것으로 기대한다.


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