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The Photoluminescence and Electroluminescence Properties of EL Device Prepared by Using Silicon Carbide

등록일: 2005년 2월 17일 17시 45분 00초
접수번호: 1065
발표코드: Ⅲ21P118포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간: 일 <발표Ⅲ>
발표형식: 포스터
발표분야: 물리화학
저자 및 공동저자: 전해권, 최창식¹, 전기석, 이기환, 이승구, 이태호
공주대학교 화학과,
¹공주대학교 기초과학연구원,

We have studied the electroluminescence (EL) properties of EL device prepared by using silicon carbide (SiC). The porous silicon carbides (PSCs) were formed by anodizing n-type and p-type 6H silicon carbide in an ethanoic HF solution under the dark condition, respectively. Analysis of the structure of the PSC surface was performed with the use of scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM). The EL device can be prepared from the pulsed excimer laser deposition. We have demonstrated successfully that the EL device fabricated by using SiC shows a blue-green EL at room temperature.

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