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Atomic Layer Deposition of HfO2 Thin Films from TEMA-Hf and Water

등록일
2008년 8월 21일 14시 27분 17초
접수번호
1573
발표코드
31P172포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
목 <발표Ⅱ>
발표형식
포스터
발표분야
물리화학
저자 및
공동저자
허진국, 강용철
부경대학교 화학과, Korea
HfO2 thin films were produced from Hf[N(CH3)(C2H5)]4 and H2O on Si(100) wafers in the temperature range 250-350℃, using atomic layer deposition (ALD). The concentrations of residual carbon in HfO2 films depended upon substrate temperature. Thickness and uniformity of the samples were measured by ellipsometer. And also their morphology and structure were observed by field emission scanning electron microscope (FESEM). Electrical characterization was determined by C-V measurement.

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