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Hydrogen Absorptivity of Porous and Crystalline Silicon

등록일
2008년 8월 25일 15시 35분 42초
접수번호
1598
발표코드
금27D2워 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 09시 : 05분
발표형식
워크샵
발표분야
물리화학 - Workshop on Surface and Interface Physical Chemistry
저자 및
공동저자
조삼근
경원대학교 화학과, Korea
Thermal-energy atomic H, an omnipresent impurity in semiconductor processes, is known to etch, amorphize, and penetrate crystalline Si(100). The three processes concur or compete with one another depending on the substrate temperature, the atomic surface structure, and the H atom flux. Once absorbed by the silicon lattice bulk, H atoms, albeit highly stable thermally, can be readily washed out by D atoms at temperatures well below their thermal evolution temperatures of ~ 900 K. Besides this intriguing behavior, we present how the electrochemical HF-etching of a Si(100) surface changes its H atom absorptivity. The results confirm the importance the atomic-scale surface roughness for the H atom penetration. The implications are discussed in light of the detrimental and beneficial effects of dopant and interface/bulk defect passivation by interstitial H in nanoscale optoelectronic devices.

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