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Slicon nanowire 합성

등록일
2009년 2월 10일 13시 36분 56초
접수번호
0243
발표코드
38P282포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 <발표Ⅲ>
발표형식
포스터
발표분야
전기화학
저자 및
공동저자
금상준, 임성욱1, 이치우2
고려대학교 신소재화학, Korea
1고려대학교 소재화학과, Korea
2고려대학교 신소재화학과, Korea
“더 작게, 보다 우수하게”, 이러한 욕구가 전기장치, 반도체 기술 발전의 동력이 되고 있다. 초소형 넷북 컴퓨터, 초절전 저전력 시스템, 그리고 휴대용 모바일 기기의 보다 빠른 처리능력과 적은 전력으로 긴시간 구동의 가능을 이루고자 하는 필요가 기술을 발달시키고 있다는 것이다. 이를 실현하기 위해 어떠한 방법을 사용할 수 있을까? Si-nanowire 합성을 토대로 한 가능성이 있다. 나노와이어를 만들기 위해서는 위로 입자를 쌓아 올리는 방법과 실리콘 결정 안으로 파고들어 가는 식각을 이용할 수 있다. 본 실험에서는 후자의 방법을 사용하였다. Silicon이 HF에 녹는 성질을 사용해 AgNO3/HF와 Fe(NO3)3/HF를 용액으로 Si-nanowire를 합성하였다. 만들어진 silicon-nanowire의 표면을 관찰하고 분석하였다.

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