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제105회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 Tuning of refractive indices and optical band gaps in oxidized silicon quantum dot solids

등록일
2010년 2월 23일 17시 53분 52초
접수번호
1323
발표코드
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발표시간
목 16시 : 30분
발표형식
심포지엄
발표분야
재료화학 - 광전자 분야에서의 최신 재료화학 연구 동향
저자 및
공동저자
정현담, 손홍래1, 최진규, 장승현1
전남대학교 화학과, Korea
1조선대학교 화학과, Korea

This lab has initiated compelling research into silicon quantum dot (Si QD) solids in order to utilize their synergetic benefits with quantum dot solids through fabrication of Si QD thin films. The issues of oxidation concerning the Si QD thin films were confirmed using Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The refractive index value of the Si QD thin film at a 30 oC curing temperature was 1.61 and 1.45 at 800 oC due to complete oxidation of the Si phases. The optical band gap values of 5.49 - 5.90 eV corresponded to Si phases with diameters between 0.82 - 0.74 nm, dispersed throughout the oxidized Si QD thin films and modeled by Si molecular clusters of approximately fourteen silicon atoms. The photoluminescence (PL) energy (2.64 – 2.61 eV) in the proposed Si QD thin films likely originated from the Si=O bond terminating the Si molecular clusters.


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