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제106회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 Selective Remove of Metallic SWNT 3D Networks with Hydrogen Plasma

등록일
2010년 8월 31일 15시 19분 54초
접수번호
1581
발표코드
Ⅲ-PHYS.P-233 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 <발표Ⅲ>
발표형식
포스터
발표분야
물리화학
저자 및
공동저자
서정은, 여해구, 임아연1, 정준모2, 이해원
한양대학교 화학과, Korea
1한양대학교 에너지공학과, Korea
2한양대학교 화학공학과, Korea
Carbon nanotubes have excellent mechanical and electrical properties, which make them suitable for many potential applications. Generally, metallic and semiconducting single-walled carbon nanotubes(SWNTs) coexist in as-grown materials. However, for applications in nanoelectronic devices it is necessary to fabricate SWNTs that contain only semiconducting SWNTs without metallic SWNTs. Here, we present electrical characteristic of 3-dimensional SWNT networks on Si pillar substrate. And we demonstrate method of selective remove metallic SWNT networks based on a dry etching process of hydrogen plasma. Selective remove of metallic SWNTs 3D networks were characterized using SEM and Raman analysis.

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