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Nanostructured High-Dielectric Polymers for Organic Thin Film Transistors

등록일
2005년 8월 11일 00시 13분 08초
접수번호
0642
발표코드
금2G6심 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 14시 : 30분
발표형식
심포지엄
발표분야
고분자화학 - 고분자 나노 정보 소재 (Polmeric Nanomaterials for Information Technology)
저자 및
공동저자
윤도영, 강지훈, 한미정, 신나율, 김지아, 김장주
서울대학교 화학부,
In organic thin film transistors (OTFTs) for flexible electronics, high-dielectric polymers are highly desirable as the gate insulator, for lowering the operating voltage, improving the switching characteristics and easy processing of mechanically stable thin films. Desired mechanical properties and high-dielectric constants have been achieved by the formation of nanostructured polymer films, wherein the highly polar moieties are located in the mobile region dispersed in a rigid polymer film. Moreover, the nanostructure also incorporates low surface-energy moieties necessary to obtaining optimum interface properties for high charge carrier (hole) mobility in OTFT. As a result, OTFTs have been successfully prepared with pentacene and a high-dielectric polymer insulator with the dielectric constant >10, exhibiting a high hole mobility close to 2 cm**2/V sec.

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