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The Intermediates of Thermal Decomposition of 1,3-Disilabutane to Silicon Carbide on Si(100) surface

등록일
2005년 8월 19일 15시 58분 40초
접수번호
0743
발표코드
22P129포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
토 <발표Ⅳ>
발표형식
포스터
발표분야
물리화학
저자 및
공동저자
지해근, 김성규, 이순보
성균관대학교 화학과,
1,3-Disilabutane (DSB) is an excellent precursor for SiC film growth by CVD, but, the decomposition mechanism is not clear. In this study, DSB was exposed on Si(100) surface under 100K in the UHV and thermally decomposed up to 1300K. Adsorbed and desorbed species detected by Reactive Ion Scattering (RIS), AES, and TDS in the decomposition. Using RIS method, physisorbed DSB was detected under 100K. As the surface temperature increased, physisorbed DSB partially decomposed to C2SiH4 and the rest desorbed in the temperature range 120­150K. Above 150K to 900K, only the second intermediate, CSiH4 existed on the surface. TDS and AES results showed CSiH4 lost hydrogen and became the SiC above 900K.

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