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제109회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 Titanium nitride films produced by laser ablation in nitrogen atmosphere

등록일
2012년 2월 14일 10시 04분 26초
접수번호
0216
발표코드
PHYS.P-293 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
4월 25일 (수요일) 18:00~21:00
발표형식
포스터
발표분야
물리화학
저자 및
공동저자
정다운, 박승민, 송재규, 신승근
경희대학교 화학과, Korea
Thin TiN films were deposited at room temperature on silicon wafer substrates using the Smolley type source technique. The obtained TiN film were ablated by using a Nd-YAG laser (1064 nm). The samples before and after annealing were characterized at room temperature. The as-deposited TiN thin films were analyzed by Photoluminescence (PL) spectroscopy and X-ray diffraction and Raman spectroscopy.

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