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제109회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 Gradient DBR Porous Silicon Layer for Various Chemical Vapor

등록일
2012년 3월 2일 14시 27분 51초
접수번호
1566
발표코드
ORGN.P-970 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
4월 25일 (수요일) 18:00~21:00
발표형식
포스터
발표분야
유기화학
저자 및
공동저자
엄성용, 조성동
조선대학교 화학과, Korea
Gradient Bragg-structured porous silicon (PSi) were investigated under the exposure of various organic vapors. Gradient DBR PSi whose average pore size decreased as the lateral distance from the Pt electrode increased was generated by using an asymmetric etching configuration. The reflection resdonances were measured as a silicon surface. Two types of gradient DBR PSi (H-, and HO-terminated gradient DBR Psi) were used in this study. The detection of volatile organic compounds (VOCs) using the gradient DBR PSi modified with hydrophobic and hydropholic functionality exhibited different pore adsorption and desorption characteristics.

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