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제109회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 Electron Trapping and Transport Properties of 1-D and 3-D Quantum Well Polymers

등록일
2012년 3월 2일 15시 45분 42초
접수번호
1572
발표코드
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발표시간
4월 25일 (수요일) 18:00~21:00
발표형식
포스터
발표분야
물리화학
저자 및
공동저자
최진규, Dao Duy Tung1, 이돈성, 손홍래2, 정현담
전남대학교 화학과, Korea
1전남대학교 화학과, Vietnam
2조선대학교 화학과, Korea
Quantum well polymers (QWPs) are defined as polymers of QW electronic structures created by alternating molecular units of low and high HOMO-LUMO energy gaps in a polymer. The difference in HOMO-LUMO gaps may give an interesting QW electronic structure, in which the high HOMO-LUMO gap acts as the energy barrier. Recently, we introduce two kinds of QWPs: (1) 1-D QWPs; poly(tetraphenyl)silolesiloxane (PSS) and silole-neopentasilane (SNPS) hybrid, (2) 3-D QWP; C60-organosiloxane (C60OS) nanocomposite. Because the silole and the C60 are well known to have low-lying LUMOs, the 1-D and 3-D QWPs are realized by alternating them with siloxane linkage of high energy gap. The electron trapping in the QWPs thin films was confirmed by the capacitance-voltage (C-V) measurements performed within the metal-insulator-semiconductor (MIS) device structure. The electron transport properties of the QWPs were studied by the combination of theoretical calculations using Gaussian03 and ATK packages and current-voltage (I-V) measurements in metal-insulator-metal (MIM) device structure.

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