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제110회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 Mobility enhancement of passivated MoS2 nanosheet devices

등록일
2012년 9월 5일 13시 29분 27초
접수번호
1686
발표코드
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발표시간
목 16시 : 30분
발표형식
심포지엄
발표분야
재료화학 - Recent Research Trends of 2D Nanostructured Inorganic Solids
저자 및
공동저자
김규태
고려대학교 전기전자전파공학부, Korea
The device characteristics of a few-layer MoS2 nanosheets were measured in a configuration of passivated field effect transistors(FET). The mobility of MoS2 nanosheets FETs was enhanced reaching up to 50cm2 V-1 s-1 by the passivation of with the Al2O3 layer with a reduction of the hysteresis pattern, which is related with the reduction of the adsorption/desorption trap sites at the surface. The higher mobility with the passivation was confirmed by the comparisonal studies on the geometric effects with the simulation. In the talk, the electrical properties of diffrent situations of MoS2 nanosheets will be compared.

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