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제111회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 Quantitative characterization of inorganic materials using high resolution Rutherford backscattering spectroscopy

등록일
2013년 2월 13일 18시 03분 18초
접수번호
0600
발표코드
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발표시간
목 09시 : 30분
발표형식
심포지엄
발표분야
분석화학 - Recent Advances in Inorganic Material Analysis
저자 및
공동저자
이형익
삼성전자 종합기술원 분석그룹, Korea
Rutherford backscattering spectroscopy (RBS) 혹은 MEIS (medium energy ion scattering spectroscopy)는 샘플을 파괴시키지 않고 깊이에 따른 조성변화 및 정량분석을 상당한 신뢰성을 가지고 측정할 수 있어 반도체 산업의 연구개발에 필수적인 장비로 사용되고 있다. 이에 삼성 종합기술원에서는 통상적인 MEIS 장비보다 최대 500 keV 까지 에너지를 높이고, 분해능은 MEIS 수준을 가져, 얇은 막도 무리 없이 측정할 수 있는 high resolution RBS 장비를 도입하여 사용하고 있다. 반도체 물질의 공정조건 확보를 위한 정량분석, 두께 및 밀도분석, ion implantation에 의한 defect 분석, 박막 속에 들어 있는 수소의 정량평가, XPS/SIMS 등과 연계한 기초적 연구에 주로 활용되고 있다. 본 발표에서는 high resolution RBS를 이용하여 SiN:H, quantum dot 등의 정량분석 및 최근 SIMS, XPS등에서 활발히 이용되고 있는 Gas Cluster Ion Bean (GCIB)의 유무기 물질의 surface damage 평가에 대한 기초적 연구 결과를 중심으로 발표할 예정이다.

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