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Deposition of CIS thin film using cupper and indium-sulfide precursors through MOCVD method

등록일
2006년 2월 16일 10시 24분 32초
접수번호
0930
발표코드
28P104포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 <발표Ⅱ>
발표형식
포스터
발표분야
무기화학
저자 및
공동저자
이승수, 김신규, 심일운
중앙대학교 화학과,
CuInS2 (CIS) films were deposited by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) using Cu and In-S precursors, bis(ethylbutyrylacetate)cupper(II), bis(ethylisobutyrylacetato)cupper(II), and tris(N,N-ethylbutyldithiocarbamato)indium(III). CIS films were prepared in two different conditions under vacuum or an Ar environment. Synthesized precursors were characterized by NMR, IR, EA, DIP-Mass, and TGA/DTA. Using these precursors, the CIS films were deposited at several substrate temperatures and deposition times. These CIS films were analyzed by XRD, SEM, EDX, and UV-Vis and found to have a number of interesting scientific properties adaptable for an absorber layer of solar cell.

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