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제115회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 Catalytic Vapor Assisted Growth of Uniform Nano-crystalline Graphene on Insulating Substrate

등록일
2015년 2월 25일 12시 28분 51초
접수번호
1328
발표코드
MAT.P-1156 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
4월 15일 (수요일) 16:00~19:00
발표형식
포스터
발표분야
재료화학
저자 및
공동저자
이재현*, 김민성1
성균관대학교 성균나노과학기술원, Korea
1성균관대학교 신소재공학과, Korea
We report a simple and direct growth of uniform single layer graphene on dielectric SiO2 surface by utilizing CMOS compatible germane gas. Crystalline and structure of graphene is easily controlled by tuning gas ratio. Raman spectra and XPS conform that as grown graphene is consist of sp2 hybridized carbon structures. Without wet etching process, we are able to fabricate graphene field effect transistors. The present results demonstrate a promising graphene growth technique for current Si based CMOS technology.

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