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제115회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 Airborne Molecular Contamination, and Electrical Transports through ITO-based van der Waals Interface

등록일
2015년 2월 26일 13시 40분 34초
접수번호
1431
발표코드
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발표시간
4월 15일 (수요일) 16:00~19:00
발표형식
포스터
발표분야
재료화학
저자 및
공동저자
공규돈, 김미소, 윤효재*
고려대학교 화학과, Korea
This poster focuses on electrical characterization of van der Waals interface formed with ITO (tin-doped indium oxide) using EGaIn (eutectic gallium indium alloy) microelectrode. For developing optoelectronic devices ITO-based van der Waals interfaces are produced inevitably, but it is experimentally difficult to investigate them. We studied how electrical characteristics of ITO-based van der Waals interface responds to the degree of contamination of the ITO surface by using ITO//Ga2O3/EGaIn junctions. Comparisons of current densities for ITO//Ga2O3/EGaIn junctions prepared with differently cleaned (with UV light, ozone, and/or organic solvent rinsing) ITO surfaces indicated that UV/ozone surface cleaning of ITO surface enhances the electrical conductance of the van der Waals interface up to 103, and improves the accuracy and reproducibility of performance of ITO electrode.

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