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제116회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 Ni(dmamb)2를 사용한 MgO 기질 위의 NiO 박막의 적층 성장

등록일
2015년 8월 27일 16시 46분 01초
접수번호
1047
발표코드
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발표시간
10월 16일 (금요일) 13:00~14:30
발표형식
포스터
발표분야
재료화학
저자 및
공동저자
김성영, 조계인1, 박정희2, 김윤수*
고려대학교 신소재화학과, Korea
1고려대학교 세종캠퍼스 신소재화학과, Korea
2고려대학교 소재화학과, Korea
NiO는 p형 투명 전도성 막으로서 광학적 및 전기적 특성이 우수한 물질이다. 우리는 Ni(dmamb)2 [nickel bis(1-dimethylamino-2-methyl-2-butanolate)]를 선구물질로 사용하여 MgO(001) 기질 위에 NiO 박막을 CVD 방법으로 적층 성장시켰다. Ni(dmamb)2는 상온에서 액체이며 증기압이 75 ℃에서 213 mTorr로 충분히 높다. 실험 중 기질의 온도는 250-400 ℃ 구간에서 25 ℃ 간격으로 변화시켰다. 침착한 박막은 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)로 NiO임을 확인하였고, 박막의 조성은 energy dispersive spectroscopy (EDS)로 조사하였다. X-ray diffraction (XRD)과 reflection high-energy electron diffraction (RHEED) 분석은 박막이 결정성이 우수함을 보여 주었다. 박막의 두께는 scanning electron microscopy (SEM)로 측정하였고, transmission electron microscopy (TEM) 사진을 분석하여 NiO 박막이 MgO(001) 기질 위에 적층 성장했음을 확인하였다.

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