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제116회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 Atomic Layer Deposition of Lanthanum Oxide with Thickness Scaling: Growth and Characterization

등록일
2015년 9월 5일 12시 09분 18초
접수번호
1332
발표코드
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발표시간
10월 16일 (금요일) 13:00~14:30
발표형식
포스터
발표분야
재료화학
저자 및
공동저자
최현주*, 김용성1
경남대학교 교양기초교육원, Korea
1경남대학교 과학교육과, Korea
Lanthanum Oxide (La2O3) is the most promising insulator for the next-generation high-k gate insulators to achieve higher drivability as well as lower gate leakage. Characteristics such as high permittivity (κ=25~30), large band gap(Eg = 5.8ev), high band offset with respect to silicon are important in the miniaturization. In this work, we demonstrate determining the growth characterization and electrical property of a La2O3 thin film with a thickness down to 30 nm using thermal atomic layer deposition (T-ALD) process. La2O3 thin film was grown by T-ALD including La-precursor (alkylmides, cyclopentadienyls) and H2O as oxygen source, respectively. It was dependence of the film thickness and the growth rate on the deposition temperature. This study will be expected to contribute to additional scaling of gate oxide and improvement of efficiency of semiconductor.

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