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제118회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 Heterojunction strain sensor with organic single crystal nanowire by direct printing

등록일
2016년 8월 31일 15시 15분 26초
접수번호
2236
발표코드
PHYS.P-431 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
10월 13일 (목요일) 11:00~12:30
발표형식
포스터
발표분야
물리화학
저자 및
공동저자
박윤경, 성명모*
한양대학교 화학과, Korea
We fabricate organic single crystal nanowire heterojunction p-n diode with poly(3-hexylthiophene)(P3HT) and N,N′-Dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide (PTCDI-C8) using by liquid-bridge mediated nanotransfer molding(LB-nTM) method. LB-nTM has been reported an one step direct printing method for making well-aligned nanowire arrays. Moreover, multi-layering nanostructures can be fabricated with the consecutive printing process. As a result, it is possible to make simple and basic concept of heterojunction devices such as hetero p-n nanojunction diode. P3HT/PTCDI-C8 nanowires heterojunction diode has rectifying behavior with on/off ratios of ~10. Also it shows strain sensor properties also with external strain such as action of finger.

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