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제119회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 Realization of green and amber emissive AIZS/ZnS QD-LEDs

등록일
2017년 2월 16일 14시 45분 15초
접수번호
4416
발표코드
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발표시간
4월 21일 (금요일) 13:00~14:30
발표형식
포스터
발표분야
재료화학
저자 및
공동저자
김소희, 도영락1,*
국민대학교 화학과, Korea
1국민대학교 생명나노화학과, Korea
In this study, we fabricated green and amber emissive AIZS/ZnS quantum dot light-emitting diodes (QD-LEDs). For facturing these two color of QLEDs, we synthesized green and amber AIZS/ZnS quantum dots by preparing core-forming, alloying, and shelling process at different temperatures. These QDs show broad band spectra (FWHM > 80nm) and have PLQYs of 41, 52%, respectively. Layers of QLED are composed of a PEDOT:PSS hole injection layer (HIL), a poly(9-vinylcarbazole) hole transport layer (HTL), a QD emitting layer (EML) and a ZnO nanoparticle electron transport layer (ETL). The devices that we fabricated have maximum luminance values of 999, 498 cd/m2, and 1.12, 0.36 cd/A in current efficiency (CE) and 0.39, 0.25% in external quantum efficiency (EQE), respectively. Although EL performances are inferior to other Cd-based or CIS-containing devices, these green and amber emissive AIZS/ZnS QD-LEDs have much possibility for improvement in the near future.

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