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Deposition of CuInSe2thin film using Copper and In-Se precursor though two-stage MOCVD method

등록일
2006년 8월 15일 23시 30분 25초
접수번호
0674
발표코드
25P55포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 <발표Ⅱ>
발표형식
포스터
발표분야
무기화학
저자 및
공동저자
박종필, 이승수, 장성임, 심일운
중앙대학교 화학과,
Nowadays, CuInSe2(CIS) film is important as an observer material of solar cell. CIS films were prepared by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) using Cu and In-Se precursors, bis(ethylbutyrylacetate)cupper(II), and tris(N,N-ethylbutyldiselenocarbamato)indium(III). Synthesized precursors were characterized by NMR, IR, EA, DIP-Mass, and TGA/DTA. Then, CIS films were deposited at various substrate temperatures and deposition times. The resulting CIS films were analyzed by XRD, SEM, EDX, and UV-Vis and found to have a number of interesting properties adaptable for an absorber material of solar cell.

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