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Synthesis of Novel Hafnia and Zirconia Precursors

등록일
2006년 8월 16일 10시 25분 17초
접수번호
0772
발표코드
25P65포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 <발표Ⅱ>
발표형식
포스터
발표분야
무기화학
저자 및
공동저자
최지영, 정택모, 김창균
한국화학연구원 화학소재연구단,
Hafnia and zirconia are among the most promising alternatives to silicon oxide in microelectronics applications due to their high chemical and thermal stability and elevated dielectric constants. We have successfully synthesized novel Hf(Ⅳ) and Zr(Ⅳ) complexes of novel alkoxide ligand which has a vinyl group. We believe a vinyl group on the ligand can play a important role in the reaction of the metal precursors with ozone to prepare metal oxide thin films by Atomic Layer Deposition (ALD). All new compounds have been characterized by NMR, FT-IR, elemental analysis, and TG/DTA. The new Hf(Ⅳ) and Zr(Ⅳ) complexes can be used as ALD precursors to prepare high qualities of hafnium oxide and zirconium oxide thin films.

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