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대한화학회 제121회 학술발표회 및 총회 Bent copper sulfide nanoplates with hetero-epitaxially grown ternary phase

등록일
2018년 2월 7일 11시 23분 33초
접수번호
4745
발표코드
INOR.P-132 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
4월 19일 (목요일) 11:00~12:30
발표형식
포스터
발표분야
Inorganic Chemistry
저자 및
공동저자
Sunghyun Lim, Taehyun Kwon1, Kwangyeol Lee1,*
Chemistry, Korea University, Korea
1Department of Chemistry, Korea University, Korea
Nanostructured semiconductors are known to have unique properties depending on their size, phase and morphology. For this reason, synthetic design to prepare nanocrystals with well-defined morphology and size have received enormous interests in past few decades. Also, more advanced nanostructure design could be achieved by exploiting cation exchange, hetero-epitaxial growth, galvanic exchange, etc. Herein, the hetero-epitaxial growth of ternary sulfide on copper sulfide nanoplate will be reported. The hetero-phase nanoplate bends, in order to relieve lattice strain derived from lattice mismatch between copper sulfide and hetero-epitaxially grown ternary sulfide.

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