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대회명 대한화학회 제121회 학술발표회 및 총회
등록일 2018년 2월 7일 11시 23분 33초
접수번호 4745
발표코드 INOR.P-132 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간 4월 19일 (목요일) 11:00~12:30
발표형식 포스터
발표분야 Inorganic Chemistry
저자 및 공동저자 Sunghyun Lim, Taehyun Kwon1, Kwangyeol Lee1,*Sunghyun Lim2, Taehyun Kwon3, Kwangyeol Lee3,*
Chemistry, Korea University, Korea
1Department of Chemistry, Korea University, Korea
2Chemistry, Korea University, Korea
3Department of Chemistry, Korea University, Korea
제목 Bent copper sulfide nanoplates with hetero-epitaxially grown ternary phase
내용 Nanostructured semiconductors are known to have unique properties depending on their size, phase and morphology. For this reason, synthetic design to prepare nanocrystals with well-defined morphology and size have received enormous interests in past few decades. Also, more advanced nanostructure design could be achieved by exploiting cation exchange, hetero-epitaxial growth, galvanic exchange, etc. Herein, the hetero-epitaxial growth of ternary sulfide on copper sulfide nanoplate will be reported. The hetero-phase nanoplate bends, in order to relieve lattice strain derived from lattice mismatch between copper sulfide and hetero-epitaxially grown ternary sulfide.
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