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제122회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 One-Step Fabrication of Hydrophobic Hybrid Gate Dielectrics for Low-Voltage Organic Thin-Film Transistors

등록일
2018년 8월 20일 15시 02분 05초
접수번호
0457
발표코드
MAT.P-347 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
10월 18일 (목요일) 11:00~12:30
발표형식
포스터
발표분야
Material Chemistry
저자 및
공동저자
Young min Song, Young-Geun Ha*
Department of Chemistry, Kyonggi University, Korea
We demonstrate the design, processing, and dielectric properties of low surface energy organic/inorganic hybrid dielectric films for low-voltage operation of organic thin-film transistors (OTFTs). The hydrophobic hybrid dielectric films are easily fabricated by one-step spin coating of a zirconium chloride precursor in an octadecyltrimethoxysilane solution under ambient conditions, followed by thermal curing at low temperatures (approximately 150 ℃). These novel dielectrics exhibit excellent surface smoothness (rootmean-square roughness is <0.5 nm), great insulating property (leakage current densities <〖10〗^(-6) 〖A/cm〗^2), and high capacitance (365 nF/〖cm〗^2)

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