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Grazing Incidence X-ray Analysis of ZnO thin films grown by Atomic Layer Deposition

등록일
2007년 2월 13일 13시 17분 08초
접수번호
1150
발표코드
31P240포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 <발표Ⅳ>
발표형식
포스터
발표분야
재료화학
저자 및
공동저자
김종윤, 최성율1, 윤태현
한양대학교 화학과,
1한국전자통신연구원 미래기술연구본부,
In this study, depth dependent structural information on ZnO thin film was studied using grazing incidence x-ray diffraction (GI-XRD) technique combined with x-ray reflectivity (XRR) measurements. XRR measurements provided good estimates of the thickness and roughness of ALD grown ZnO films, while GI-XRD data collected below and above the critical angle of substrate provided important information on ZnO phase distribution at different penetration depth. By combining these experimental observations, we can conclude that ZnO has slight preference to grow in (002) direction at or near the ZnO/Al2O3 interface, while ZnO (100) preferentially grow at the bulk phase of the ZnO thin films. These results provided a good explanation on the physical properties of TFT device using these ZnO/ Al2O3/Si thin films (e.g. increased mobility observed for ZnO thin films grown under specific ALD conditions)

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