abs

학술발표회초록보기

초록문의 abstract@kcsnet.or.kr

결제문의 member@kcsnet.or.kr

현재 가능한 작업은 아래와 같습니다.
  • 09월 05일 13시 이후 : 초록수정 불가능, 일정확인 및 검색만 가능

Atomic Layer Deposition of Al2O3 and HfO2 for Electrical Application

등록일
2007년 8월 20일 17시 10분 57초
접수번호
1378
발표코드
31P137포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 <발표Ⅳ>
발표형식
포스터
발표분야
물리화학
저자 및
공동저자
허진국, 정미향, 강용철, 강영수
부경대학교 화학과,
We have studied to improve the interface properties using ammonia (NH3) plasma pretreatment before ALD of Al2O3 and HfO2 on Si substrate. The precursors used for Al2O3 and HfO2 films are trimethylaluminum and hafnium (IV) tert-butoxide. Effects of NH3 plasma pretreatment on the electrical and structural properties of Al2O3/Si and HfO2/Si interfaces were investigated by C-V measurements, transmission electron microscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy measurements. The Si surface can be efficiently protected during NH3 plasma pretreatment and atomic layer deposition of Al2O3 and HfO2.

상단으로