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2,6-Bis(phenyl ethynyl)anthracene: High performance OFET Material

등록일
2007년 8월 21일 10시 22분 24초
접수번호
1458
발표코드
36P327포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 <발표Ⅳ>
발표형식
포스터
발표분야
재료화학
저자 및
공동저자
박문학, 강동민, 정성욱, 박성진, 김윤희1, 권순기
경상대학교 고분자공학과,
1경상대학교 기초과학부,
OFET materials have been designed, synthesized and characterized. p-Type of OFET materials were prepared by Sonogashira reaction. The obtained materials were characterized by various spectroscopic methods, high-resolution mass spectrometry, and XRD, and showed high thermal stability above 300 ℃. In vacuum processed OFET devices, a charge carrier mobility of 0.4 cm2/Vs, on/off ratio of above 106, threshold voltage of 1.48 V, and subthreshold slope of 0.95 V are observed. These materials shows a high performance OFET characteristics in the view of mobility and uniformity. The mobility of the devices reach to 0.4 cm2/Vs and standard deviation of mobility was within 5 %.

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