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No bias bend cell with an intermediate pretilt angle using a dual alignment layer

등록일
2007년 8월 21일 12시 16분 59초
접수번호
1520
발표코드
28P53포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 <발표Ⅳ>
발표형식
포스터
발표분야
고분자화학
저자 및
공동저자
최추지, 조민경, 이민정, 김미희, 김주희, 전은선, 김연상
이화여자대학교 나노과학부,
We introduce a no bias bend cell using a dual alignment layer with an intermediate pretilt angle via a rubbing. In the dual alignment layer system, the competition between the under layer favoring the planar alignment and upper layer favoring vertical alignment made it possible to achieve various pretilt angles ranging from 90° to 20° with rubbing through the under layer effect on LC alignment. In addition, as the intermediate pretilt angle plays a role in overcoming the activation energy and thus allowing formation of the initial bend state in pi cell fabrication, this approach achieved a no bias bend cell for a liquid crystal display (LCD) with both low power consumption and a fast response.

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