abs

학술발표회초록보기

초록문의 abstract@kcsnet.or.kr

결제문의 member@kcsnet.or.kr

현재 가능한 작업은 아래와 같습니다.
  • 02월 22일 16시 이후 : 초록수정 불가능, 일정확인 및 검색만 가능

Copper Atomic Layer Deposition by Using Substitution reaction between [Cu(OCH(Me)CH2NMe2)2] and Et2Zn

등록일
2008년 2월 13일 17시 40분 44초
접수번호
1160
발표코드
34P213포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 <발표Ⅳ>
발표형식
포스터
발표분야
재료화학
저자 및
공동저자
이송언, 남재우, 성명모
한양대학교 화학과,
Copper thin films were grown on Si (100) substrates by atomic layer deposition (ALD) using [Cu(OCH(Me)CH2NMe2)2] and Et2Zn as precursors. The Cu metal is formed by treating the Cu precursor adsorbed on the Si with Et2Zn. The thickness, chemical composition, crystalline structure, and morphology of the deposited films were investigated by secondary electron microscopy (SEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray diffraction (XRD), and atomic force microscopy (AFM). The results show that Cu ALD using [Cu(OCH(Me)CH2NMe2)2] and Et2Zn as precursors is self-controlled at temperatures of 100 - 120 C. The copper film was grown with a preferred orientation toward the [111] direction.

상단으로