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Novel Hafnium Complexes as Promising Precursors for MOCVD and ALD of HfO2

등록일
2008년 8월 11일 19시 05분 00초
접수번호
0778
발표코드
30P99포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 <발표Ⅲ>
발표형식
포스터
발표분야
무기화학
저자 및
공동저자
윤혜정, 정택모, 김창균
한국화학연구원 화학소재연구단, Korea
Hafnium dioxide (HfO2) has been extensively studied for use as a replacement for SiO2 in the gate oxide insulating layer in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices due to its relatively high dielectric constant (16-40), wide band gap (~5.68 eV), and thermodynamic stability up to~1000 K. Novel HfO2 precursors, tetrakis(3-methylpent-1-yn-3-yloxy)hafnium [Hf(mpy)4] and tetrakis(2-methylbut-3-yn-2-yloxy)hafnium [Hf(mby)4], have been synthesized by the ligand exchange reaction of hafnium tetrakis(dialkylamide) with 4 equivalents of 3-methylpent-1-yn-3-ol or 2-methylbut-3-yn-2-ol. The synthesized precursors have been fully characterized by 1H, 13C NMR, IR spectroscopy, elemental analysis (EA), and thermogravimetric analysis (TGA).

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