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제108회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 Organic field-effect transistors and complementary inverters using perylene diimide with polymer gate dielectrics and thermal treatment

등록일
2011년 8월 4일 17시 50분 30초
접수번호
1484
발표코드
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발표시간
목 <발표Ⅱ>
발표형식
포스터
발표분야
재료화학
저자 및
공동저자
오정도, 서훈석, 김대규, 최종호
고려대학교 화학과, Korea
We have found that the modification of SiO2 surfaces using hydroxyl-free polymer insulators, such as cyclic olefin copolymer (COC) and polymethylmethacrylate (PMMA), can enhance device performance of n-type organic field-effect transistors (OFETs). After modified gate dielectrics and thermal post-treatment, the grain size and crystallinity improve thin films of N,N’-dioctyl-3,4,9,10-perylene tetracarboxylic diimide (PTCDI-C8). In particular, the thermally post-treated OFETs using a COC/SiO2 gate dielectric exhibit high field-effect room-temperature mobilities up to 0.70 cm2/Vs. Organic complementary inverters were integrated using the p-type pentacene-based OFETs and n-type PTCDI-C8 based OFETs on a single substrate. Due to the increased electron mobilities and good coupling between p- and n-type OFETs, the inverters demonstrated sharp inversions and a high gain of ~20 in the voltage transfer curves under ambient conditions.

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