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제109회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 π-Extended Zn-porphyrin derivatives for Single Crystalline TFT

등록일
2012년 2월 14일 21시 02분 22초
접수번호
0352
발표코드
INOR.P-154 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
4월 25일 (수요일) 18:00~21:00
발표형식
포스터
발표분야
무기화학
저자 및
공동저자
최수정, 채승현, 이석중
고려대학교 화학과, Korea
There has been a considerable interest in synthesis of planar π-conjugated molecules for TFT (Thin Film Transistor) devices because π-conjugated system provide more efficient π orbital overlapping and high charge carrier mobility. In this presentation, we report the synthesis, characterization and transistor performance of various semiconductor materials based on Zn-porphyrin derivatives. These novel series of π-extend porphyrins have two phenyl and thiophene units to extend conjugation length. Particularly, TFTs using single crystals of porphyrin derivatives as active layers have been fabricated by slow solvent diffusion method. And their electrical, optical and charge transport properties are also demonstrated. Because porphyrin offers a variety of optical and electronic properties from the central metal and substituents, optimizing structural modification is crucial factor for improved high performance of organic thin film devices.

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