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제109회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 Solution-processable New Asymmetric Hole-Transporting Materials Based on Phenylnaphthalene Core for OLEDs

등록일
2012년 2월 22일 22시 19분 27초
접수번호
1376
발표코드
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발표시간
4월 25일 (수요일) 18:00~21:00
발표형식
포스터
발표분야
고분자화학
저자 및
공동저자
이대희, 이남진, 박종욱1, 정민철2, 이지훈
한국교통대학교 나노고분자공학과, Korea
1가톨릭대학교 화학과, Korea
2순천대학교 화학공학과, Korea
OLEDs 의 발광효율과 lifetimes 은 electrons 과 holes 의 charge balance 에 영향을 받는다. HTL, ETL 등과 같은 다층 구조(multilayer system)를 이용하지 않으면 고효율 및 고휘도의 발광특성을 기대하기는 불가능하다. 그리고 증착공정이 아닌 대면적화에 유리한 용액공정으로 device 를 제작하기 위해서는 재료의 용해성 및 균일한 박막 형성 능력이 매우 중요하다. 따라서 열적 안정성이 낮으면 구동시 발생하는 열에 의하여 분자의 재결정 현상이 나타나 발광효율이 떨어지고 소자의 수명이 크게 단축되는 등의 문제가 발생한다. 본 연구에서는phenylnaphthalene core를 분자에 도입하여 열적 안정성이 우수하고, 분자구조적으로 비대칭이며 뛰어난 용해성과 amorphous 한 박막 형성 특성을 갖는 새로운 HTL재료를 분자디자인하여 합성하였고, 치환기의 종류와 치환위치에 따른 열적, 전기화학적 특성의 차이와 또한 증착공정과 용액공정을 이용해 제작한devices 의 전계발광적 특성의 변화를 상용화된HTL 재료인 NPB 를 비교물질로 사용하여 체계적으로 조사하였다.

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