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제109회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 High-performance n-type organic field-effect transistors based on single-crystal fullerene nanowires

등록일
2012년 2월 27일 17시 57분 28초
접수번호
1500
발표코드
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발표시간
4월 25일 (수요일) 18:00~21:00
발표형식
포스터
발표분야
재료화학
저자 및
공동저자
박경선, 조보람, 백장미, 이기석, 성명모
한양대학교 화학과, Korea
We generated single-crystal fullerene nanowire array using a direct printing method, liquid-bridge-mediated nanotransfer molding (LB-nTM). LB-nTM is able to simultaneously synthesize, align, and pattern of nanowires using molecular ink solution. Using this method, fullerene nanowires were synthesized by self-assembly and crystallization of fullerene molecules within the nanoscale channels of molds, and these nanowires were directly transferred to the substrates by a direct printing process. This method was utilized to fabricate high-performance n-type organic field-effect transistors that can be integrated into device arrays on flexible plastic substrates.

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