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제114회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 Synthesis and characterization of novel indium gallium zinc oxide precursors

등록일
2014년 8월 28일 15시 41분 27초
접수번호
1118
발표코드
INOR.P-235 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
10월 15일 (수요일) 16:00~19:00
발표형식
포스터
발표분야
무기화학
저자 및
공동저자
오현지, 박보근1, 정택모2, 김창균1,*
한국화학연구원 박막재료연구그룹, Korea
1한국화학연구원 화학소재연구본부, Korea
2한국화학연구원 화학소재연구단, Korea
In recent years, a variety of solution-processed oxide semiconductors have been studied for oxide-based TFTs. Metal oxide semiconductors such as zinc oxide (ZnO), indium gallium zinc oxide (IGZO), zinc tin oxide (ZTO), and zinc indium tin oxide (ZITO) have been explored using various metal salt precursors and implemented into TFT structures. Heterometallic alkoxides could be excellent precursors to control stoichiometry and lower annealing temperature for multi-metal oxide semiconductors. Herein, we report on the synthesis and characterization of new heterometallic tin-gallium, zinc-gallium, and zinc-indium complexes containing designed functional alkoxide ligand.

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