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제118회 대한화학회 학술발표회, 총회 및 기기전시회 안내 Mg-stabilized InP/GaP/ZnS QDs for LED applications

등록일
2016년 9월 1일 13시 24분 13초
접수번호
2348
발표코드
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발표시간
10월 14일 (금요일) 11:00~12:30
발표형식
포스터
발표분야
재료화학
저자 및
공동저자
백승민, 서해운1, 김상욱2,*
아주대학교 분자과학기술학과, Korea
1아주대학교 분자기술학과, Korea
2아주대학교 응용생명화학공학부, Korea
In the last few year, people have focused on study for improved quantum dots (QDs). Above all, InP-based QDs have promising materials for light emitting diode(LED). However, InP-based QDs have some critical problems, for example stability, compared with CdSe-based QDs. For improving stability, many reaserch groups have synthesized thick outer shells and has been applied for applications. We used magnesium cations for improving stability of InP/GaP/ZnS. As a result, we demonstrated very small amounts of Mg cation as surface stabilizers while the maintaining a quantum yield of QDs. Finally, We fabricated QD based LED chips. It also yielded improved values Including CRI of 84.4, CCT of 3799K, and EQE of 129.57lm/W.

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