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Cu2O thin films by MOCVD of Cu(dmamb)2 and ozone

등록일
2008년 2월 14일 09시 45분 57초
접수번호
1229
발표코드
34P223포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 <발표Ⅳ>
발표형식
포스터
발표분야
재료화학
저자 및
공동저자
민경철, 채원묵1, 이선숙1, 정택모1, 안기석1, 이남수, 김창균1
충북대학교 화학과,
1한국화학연구원 화학소재연구단,
Cuprous oxide (Cu2O) is one of binary p-type conducting oxides with a direct band gap of 2.1 eV. It is an attractive material for applications in solar cells, p-n junctions and basis of a diluted magnetic semiconductor (DMS). In this research, we have prepared cuprous oxide thin films on Si and glass substrates using copper aminoalkoxide precursor, Cu(dmamb)2 with ozone as a reactant gas by low pressure metal organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD). The properties of deposited films in the various temperatures and ozone partial pressure were characterized by XPS, SEM, XRD, and UV-VIS measurements. The characteristics of cuprous oxide films using oxygen as a reactant gas were compared with that of films using ozone.

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