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Currents-voltage and photo-luminescence characteristics of porous-sinlicon layers

등록일
2008년 2월 14일 11시 52분 29초
접수번호
1341
발표코드
29P82포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 <발표Ⅴ>
발표형식
포스터
발표분야
물리화학
저자 및
공동저자
김선인, 이정우1, 심기조1, 한봉우1, 이휘건1
한양대학교 자연과학대학 화학과,
1한양대학교 화학과,
The photosensitive surface effects from metal/porous silicon/Si sandwich structures based on n-type porous silicon were investigated. Contacts were made by bonding to semitransparent coatings of Au deposited by a novel technique of magnetron sputtering method. We have measured the I-V characteristics of the metal/porous silicon/Si sandwich structures under ambient condition and UV 254 nm irradiation and Phtoluminescence.

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