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Facile stress-induced growth of Single crystalline aluminum nanowires

등록일
2008년 2월 14일 12시 00분 58초
접수번호
1351
발표코드
34P233포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 <발표Ⅳ>
발표형식
포스터
발표분야
재료화학
저자 및
공동저자
이종운, 이재현1, 김병성2, 황동목1
성균관대학교 재료공학과,
1성균관대학교 신소재공학부,
2성균관대학교 성균 나노과학기술원,
We have demonstrated stress-induced growth of free-standing aluminum nanowires (AlNWs). The AlNWs with diameters of less than 100nm and lengths > 10um have been successfully grown by simple thermal heating of aluminum films on SiO2 substrates at a relatively low temperature (2500C) in air. Transmission electron microscopy (TEM) analysis showed that the resulting single-crystal AlNWs are encased in an amorphous aluminum oxide (Al2O3) sheath, which was formed by oxidation of the aluminum core. The growth mechanism and electrical properties of the AlNWs will be discussed.

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