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집합체 유도에 의한 형광 증진 현상 (AIEE)을 보이는 새로운 여기상태 분자내 양성자 전이 (ESIPT) 물질의 합성과 특성분석 [우수포스터상]

등록일
2008년 2월 14일 13시 29분 10초
접수번호
1377
발표코드
32P236포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 <발표Ⅴ>
발표형식
포스터
발표분야
유기화학
저자 및
공동저자
박상혁, 박수영
서울대학교 재료공학부, Afghanistan
형광 분자의 다양한 응용을 위해서는 용액상 뿐 아니라 고체상에서도 강한 형광을 보이는 분자의 설계 및 합성이 필수적이다. 그러나 일반적인 형광 분자는 고체상에서 분자간 상호작용에 의한 농도 소광 효과 (concentration quenching)에 기인하여 강한 형광을 구현하기가 힘들다는 단점을 가지고 있다. 본 연구에서는 이미다졸 기에 네 개의 페닐기를 도입하여 분자간 거리를 효과적으로 제어함으로써 고체상에서 강한 형광을 구현할 수 있는 양성자 전이 (ESIPT) 분자에 -CN, -CF3, oxadiazole 등의 electron withdrawing group을 도입함으로써 용액상에서보다 고체상에서 더욱 형광이 증진되는 집합체 유도 형광증진 (AIEE) 현상을 보이는 새로운 분자 (HPI-CF3, HPI-CN, HPI-Oxd) 를 설계/합성하고 그 광학적 특성을 분석하였다. 합성된 분자들은 구형의 안정한 나노 파티클을 형성할 수 있었으며, 파티클 및 증착필름, 그리고 단결정 등 고체상에서 35~52%의 절대발광효율을 보였다. 특히 여기상태 분자내 양성자 전이의 Stokes' shift가 매우 크고 enol-keto의 4 level 에너지 준위를 가지는 특성을 이용하여 단결정상에서 강한 형광과 함께 355 nm ps 레이저 펌핑에 의해 amplified spontaneous emission을 확인할 수 있었다.

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