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Solid-phase Growth of Germanium Nanowires

등록일
2008년 2월 14일 14시 43분 09초
접수번호
1395
발표코드
34P239포 이곳을 클릭하시면 발표코드에 대한 설명을 보실 수 있습니다.
발표시간
금 <발표Ⅳ>
발표형식
포스터
발표분야
재료화학
저자 및
공동저자
이재현, Ding yanli, 황동목
성균관대학교 신소재공학부,
Germanium nanowires (GeNWs) have attracted much attention in recent years owing to the advanced electrical properties of germanium. Various synthetic methods for crystalline GeNWs that use metal nanoparticles as seeds have been reported. However gas and solution-phase growth methods require inflammable precursor gas or high pressure condition. Herein, we report new facile solid-phase growth of GeNWs. Au-coated polycrystalline Ge film were simply heated at about 650°C under an Ar atmosphere to obtain GeNWs. The Ge film, deposited with a layer of Au (5-40 nm thick), served itself as a Ge source for the growth of the GeNWs. The growth mechanism can be explained by a solid–liquid–solid (SLS) process, which is analogous to the well-known vapor–liquid–solid (VLS) nanowire growth model.

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